Анатолий Серышев посетил завод «Оксид» в Новосибирске

Полномочный представитель Президента в Сибири Анатолий Серышев в Новосибирске посетил ведущее в России предприятие по разработке и производству пассивной электронной компонентной базы двойного назначения.

Как сообщили НИА Томск в администрации Томской области, полпред осмотрел цеха предприятия и обсудил с руководством завода радиодеталей «Оксид», перспективы его развития. В настоящее время предприятие осуществляет полный цикл производства: действуют научно-исследовательские, опытно-конструкторские и производственные подразделения. Готовая продукция поставляется по всей России и в страны ближнего зарубежья.

Полпред ознакомился с ходом реализации государственной программы импортозамещения, которая активно реализуется на предприятии. Специалисты АО «НЗР «Оксид» проводят научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы по развитию SMD-технологий изготовления пассивных ЭКБ для поверхностного монтажа. Такая работа идёт, в том числе на базе молодёжной лаборатории композитных материалов для электроники, созданной в партнёрстве с Новосибирским государственным университетом.

Полпред подчеркнул, что труд работников завода важен для достижения национальных целей, обозначенных Президентом Российской Федерации: «Об изменениях на предприятии говорят цифры: рост численности сотрудников, рост выручки, выпуск новых видов продукции. Безусловно, предприятие расширяется, видно технологическое обновление. Идем по пути достижения целей, поставленных Президентом России, укрепляем технологическое лидерство».

Полномочный представитель вручил коллективу завода благодарственное письмо за большой вклад в развитие отечественной промышленности, укрепление обороноспособности страны, достижение высоких показателей в производственной деятельности.

Напомним, в Томской особой экономической зоне планируется ввод в эксплуатацию единственного за Уралом инжинирингового центра по микроэлектронике. Центр создает компания «ИнфоТеКС» совместно с Томским государственным университетом систем управления и радиоэлектроники. Реализация проекта обеспечит переход к разработке защищенных программно-аппаратных платформ и квантовых систем, основанных на отечественной элементной базе.

Ежегодно производственный участок будет выпускать 1000 изделий. В центре будет организован полный замкнутый цикл производства: от дизайна и сборки до софта. Также в центре предусмотрен испытательный участок, где изделия будут проходить климатические испытания и проверку на электросовместимость. Объем частных инвестиций в проект превышает 1 млрд рублей. В центре планируется создать более 450 новых рабочих мест.

Центр станет одним из объектов регионального промышленного кластера «Микроэлектроника и связь». Драйвер развития кластера – Центр микроэлектронных систем, который планируется построить на территории томской ОЭЗ по федеральному проекту «Подготовка кадров и научного потенциала для радиоэлектронной промышленности». Он объединит учебные дизайн-центры, лаборатории для подготовки специалистов в области микроэлектроники и систем связи нового поколения 5G.